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Ausstattung

Spektroskopische Ellipsometrie

Horizontales M2000-UI

  • J. A. Woollam Co.
  • ein rotierender Kompensator
  • Wellenlängenbereich: 245 nm - 1690 nm
  • Anzahl gemessener Wellenlängen: 660
  • Auflösung: 1.6 nm
  • Einfallswinkel: 45° - 90°
  • Messzeit pro Spektrum: 2s - 5s

Wir verwenden das M2000-UI für die Analyse der optischen Eigenschaften von optisch uniaxialen dünnen Schichten. Für ellipsometrische Messungen an biaxialen dünnen Schichten können wir freundlicherweise das RC2 (J. A. Woollam Co.) des IPF-IPC verwenden.

Für die Analyse temperaturabhängiger Schichteigenschaften verwenden wir eine Heizeinheit (INSTEC oder Linkam), und messen in Stickstoff- oder Argonatmosphäre.

Alpha-SE

  • J. A. Wollam Co.
  • ein rotierender Kompensator
  • Wellenlängenbereich: 380 nm - 900 nm
  • Anzahl der Wellenlängen: 180
  • manuell verstellbare Einfallswinkel: 65°, 70°, 75°

 

An einem unserer Alpha-SE-Ellipsometer verwenden wir einen selbstgebauten Temperaturtisch für temperaturabhängige in-situ Messungen der Quellung von Polymerfilmen in wässrigen Lösungen und ausgewählten Lösungsmitteln.

Für diesen Aufbau verwenden wir spannungsfreie Küvetten aus Quarzglas mit einem Einfallswinkel von 70° (Sonderanfertigung, Hellma GmbH & Co. KG).

 

 

 

Röntgenanalysen

Mit freundlicher Genehmigung des IPF-IPW führen wir unsere Röntgen-Dünnschichtanalysen mit dem XRD 3003 Diffraktometer (θ/θ-Gerät, GE Sensing & Inspection Technologies, Ahrensburg, Deutschland) und der Ganesha 300 XL+ (SAXSLAB, Kopenhagen, Dänemark) durch.

XRD3003

  • Optik: Goebel Spiegel (Parallelstrahlgeometrie)
  • Strahlung: Cu Kα in Luft
  • Blenden: Schlitzblenden ≥ 50 µm, Soller Kolimator
  • Detektor: Szintillationsdetektor
  • Methoden: XRR, 1D-GIWAXS, XRD

Ganesha 300 XL+

  • Strahlung: Cu Kα im Vakuum
  • Blenden: automatisches 3-Blenden-System
  • Detektor: Pilatus 300k
  • Methode: 2D-GIWAXS

 

 

IR-Analytik an ultra-dünnen Schichten

Wir nutzen die MIR-Spektroskopie-Ausrüstung des Zentrums MSA, um Wasserstoffbrückenbindung in ultradünnen Schichten zu analysieren: von 10 nm bis 30 nm Dicke abgeschieden auf Si-Wafern (Mehrfachreflexions-ATR-Si-Wafer-Einheit) und von 70 nm bis 100 nm Dicke abgeschieden auf Gold (Einheit für IRRAS unter streifendem Einfall bei 80°). Zur Überwachung der temperaturabhängigen Veränderungen intermolekularer Wechselwirkungen wird die Vakuumtemperaturzelle (Harrick) mit einem Öffnungswinkel von 75° verwendet.